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资料编号:170154
 
资料名称:BFP620
 
文件大小: 209.97K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Germanium RF Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFP620
apr-21-2004
1
npn 硅 germanium rf 晶体管
高 增益 低 噪音 rf 晶体管
提供 优秀的 效能
为 一个 宽 范围 的 无线的 产品
完美的 为 cdma 和 wlan 产品
优秀的 噪音 图示
F
= 0.7 db 在 1.8 ghz
优秀的 噪音 图示
F
= 1.3 db 在 6 ghz
最大 稳固的 增益
G
ms
= 21.5 db 在 1.8 ghz
G
毫安
= 11 db 在 6 ghz
金 敷金属 为 extra 高 可靠性
VPS05605
4
2
1
3
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFP620 R2s
1=B 2=E 3=C 4=E - - SOT343
最大 比率
参数 标识 单位
集电级-发射级 电压
T
一个
> 0 °c
T
一个
0 °c
V
CEO
2.3
2.1
V
集电级-发射级 电压
V
CES
7.5
集电级-根基 电压
V
CBO
7.5
发射级-根基 电压
V
EBO
1.2
集电级 电流
I
C
80 毫安
根基 电流
I
B
3
总的 电源 消耗
1)
T
S
95°C
P
tot
185 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
热的 阻抗
参数 标识 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
300
k/w
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