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资料编号:170156
资料名称:
BFP620F
文件大小: 158.62K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon Germanium RF Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFP620F
apr-21-2004
2
热的 阻抗
参数
标识
值
单位
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS
≤
290
k/w
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
2.3
2.8
-
V
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 7.5 v,
V
是
= 0
I
CES
-
-
10
µA
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 5 v,
I
E
= 0
I
CBO
-
-
100
nA
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 0.5 v,
I
C
= 0
I
EBO
-
-
3
µA
直流 电流 增益
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 1.5 v, 脉冲波 量过的
h
FE
110
180
270
-
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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