九月 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 4 ghz wideband 晶体管 BFQ34
描述
npn 晶体管 encapsulated 在 一个 4
含铅的 sot122a 封套 和 一个
陶瓷的 cap. 所有 leads 是 分开的
从 这 stud.
它 是 primarily 将 为 驱动器 和
最终 stages 在 matv 系统
放大器. 它 是 也 合适的 为 使用 在
低 电源 带宽 iv 和 v 设备.
diffused 发射级-ballasting 电阻器
和 这 应用 的 金 sandwich
敷金属 确保 一个 最佳的
温度 profile 和 极好的
可靠性 properties. 这 设备 也
特性 高 输出 电压
能力.
固定
管脚 描述
代号: bfq34/01
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
图.1 sot122a.
lfpage
顶 视图
MBK187
31
2
4
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
25 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
18 V
I
C
集电级 电流
−
150 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
c
= 160
°
C
−
2.7 W
f
T
转变 频率 I
C
= 150 毫安; v
CE
= 15 v; f = 500 mhz 4
−
GHz
V
o
输出 电压 I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
=75
Ω
;
T
amb
= 25
°
c; d
im
=
−
60 db
f
(p
+
q-r)
= 793.25 mhz
1.2
−
V
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
=75
Ω
;
f = 800 mhz; T
amb
= 25
°
C
26
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
=75
Ω
;
T
amb
= 25
°
C
45
−
dBm
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供 那 这 beo disc 是 不 损坏. 所有
persons who handle, 使用 或者 dispose 的 这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至 这 regulations 应用 在 这 location 的
这 用户. 它 必须 从不 是 thrown 输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
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