1999 8月 23 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 BFR540
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
描述
这 bfr540 是 一个 npn 硅 planar
外延的 晶体管, 将 为
产品 在 这 rf frontend 在
wideband 产品 在 这 ghz
范围, 此类 作 相似物 和 数字的
cellular telephones, cordless
telephones (ct1, ct2, dect, 等.),
radar detectors, satellite tv tuners
(satv), matv/catv 放大器 和
repeater 放大器 在 fibre-optic
系统.
这 晶体管 是 encapsulated 在 一个
塑料 sot23 封套.
固定
管脚 描述
代号: n29
1 根基
2 发射级
3 集电级
图.1 sot23.
fpage
MSB003
顶 视图
12
3
快 涉及 数据
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
直流 集电级 电流
−−
120 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
= 70
°
c; 便条 1
−−
500 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 V 60 120 250
C
re
反馈 电容 I
C
=i
c
= 0; v
CB
= 8 v; f = 1 mhz
−
0.6
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
= 25
°
c; f = 900 MHz
−
14
−
dB
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
= 25
°
c; f = 2 GHz
−
7
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
= 25
°
c; f = 900 MHz
12 13
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
;i
C
= 10 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 mhz
−
1.3 1.8 dB
Γ
s
=
Γ
opt
;i
C
= 40 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
=25
°
c; f = 900 mhz
−
1.9 2.4 dB
Γ
s
=
Γ
opt
;i
C
= 10 毫安; v
CE
= 8 v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 ghz
−
2.1
−
dB
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