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资料编号:170500
 
资料名称:BFS17P
 
文件大小: 48.38K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)
 
 


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BFS17P
jul-12-20013
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 UnitValues
最小值 最大值.典型值.
交流 特性
转变 频率
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 200 mhz
I
C
= 25 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 200 mhz
f
T
1
1.3
1.4
2.5
GHz
-
-
集电级-根基 电容
V
CB
= 5 v,
f
= 1 mhz
C
cb
0.55- pf0.8
集电级-发射级 电容
V
CE
= 5 v,
f
= 1 mhz
C
ce
0.25 --
输入 电容
V
EB
= 0.5 v,
I
C
= 0 ,
f
= 1 mhz
C
ibo
- -1.45
输出 电容
V
CE
= 5 v,
V
= 0 ,
f
= 1 mhz
C
obs
- - 1.5
噪音 图示
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 800 mhz,
Z
S
= 0
F
3.5- dB5
transducer 增益
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 5 v,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 500 mhz
|
S
21e
|
2
12.7 --
直线的 输出 电压
I
C
= 14 毫安,
V
CE
= 5 v,
d
im
= 60 db,
f
1
= 806 mhz,
f
2
= 810 mhz,
Z
S
=
Z
L
= 50
V
01
=
V
02
- mv-100
第三 顺序 intercept 要点
I
C
= 14 毫安,
V
CE
= 5 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 800 mhz
IP
3
- 23 - dBm
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