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资料编号:170500
资料名称:
BFS17P
文件大小: 48.38K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFS17P
jul-12-20013
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
UnitValues
最小值
最大值.典型值.
交流 特性
转变 频率
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 200 mhz
I
C
= 25 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 200 mhz
f
T
1
1.3
1.4
2.5
GHz
-
-
集电级-根基 电容
V
CB
= 5 v,
f
= 1 mhz
C
cb
0.55-
pf0.8
集电级-发射级 电容
V
CE
= 5 v,
f
= 1 mhz
C
ce
0.25
--
输入 电容
V
EB
= 0.5 v,
I
C
= 0 ,
f
= 1 mhz
C
ibo
-
-1.45
输出 电容
V
CE
= 5 v,
V
是
= 0 ,
f
= 1 mhz
C
obs
-
-
1.5
噪音 图示
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 800 mhz,
Z
S
= 0
F
3.5-
dB5
transducer 增益
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 5 v,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 500 mhz
|
S
21e
|
2
12.7
--
直线的 输出 电压
I
C
= 14 毫安,
V
CE
= 5 v,
d
im
= 60 db,
f
1
= 806 mhz,
f
2
= 810 mhz,
Z
S
=
Z
L
= 50
V
01
=
V
02
-
mv-100
第三 顺序 intercept 要点
I
C
= 14 毫安,
V
CE
= 5 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 800 mhz
IP
3
-
23
-
dBm
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