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资料编号:171354
 
资料名称:BGB420
 
文件大小: 477.63K
   
说明
 
介绍:
Active Biased Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BGB420
数据 薄板 5 2001-08-10
最大 比率
注释:
为 详细地 标识 描述 谈及 至 图示 1.
1)
T
S
是 量过的 在 这 发射级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
参数 标识 单位
最大 集电级-发射级 电压 V
CE
3.5 V
最大 集电级 电流 I
C
30 毫安
最大 偏差 电流 I
偏差
3mA
最大 发射级-根基 电压 V
EB
1.5 V
最大 根基 电流 I
B
0.7 毫安
总的 电源 消耗, t
S
< 107°c
1)
P
tot
120 mW
接合面 温度 T
j
150 °C
运行 温度 范围 T
运算
-40 ..+85 °C
存储 温度 范围 T
STG
-65 ... +150 °C
热的 阻抗: 接合面-焊接 要点 R
th js
<270 k/w
偏差
偏差,4 c,3
b,1 e,2
V
EB
I
偏差
I
C
V
CE
I
B
图. 1: 标识 定义
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