关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:171354
资料名称:
BGB420
文件大小: 477.63K
说明
:
介绍
:
Active Biased Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BGB420
数据 薄板
5
2001-08-10
最大 比率
注释:
为 详细地 标识 描述 谈及 至 图示 1.
1)
T
S
是 量过的 在 这 发射级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
参数
标识
值
单位
最大 集电级-发射级 电压
V
CE
3.5
V
最大 集电级 电流
I
C
30
毫安
最大 偏差 电流
I
偏差
3mA
最大 发射级-根基 电压
V
EB
1.5
V
最大 根基 电流
I
B
0.7
毫安
总的 电源 消耗, t
S
< 107°c
1)
P
tot
120
mW
接合面 温度
T
j
150
°C
运行 温度 范围
T
运算
-40 ..+85
°C
存储 温度 范围
T
STG
-65 ... +150
°C
热的 阻抗: 接合面-焊接 要点
R
th js
<270
k/w
偏差
偏差,4
c,3
b,1
e,2
V
EB
I
偏差
I
C
V
CE
I
B
图. 1: 标识 定义
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com