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资料编号:171354
 
资料名称:BGB420
 
文件大小: 477.63K
   
说明
 
介绍:
Active Biased Transistor
 
 


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BGB420
数据 薄板 9 2001-08-10
额外的刺激 模型
bgb420-碎片
晶体管 碎片 数据 t502 (berkley-额外的刺激 2g.6 syntax)
.模型 t502 npn(
+ 是 = 2.0045e-16 bf = 72.534 nf = 1.2432 vaf = 28.383
+ ikf = 0.48731 ise = 1.9049e-14 ne = 2.0518 br = 7.8287
+ nr = 1.3325 var = 19.705 ikr = 0.69141 isc = 1.9237e-17
+ nc = 1.1724 rb = 8.5757 irb = 0.00072983 rbm = 3.4849
+ re = 0.31111 rc = 0.10105 cje = 1.8063e-15 vje = 0.8051
+ mje = 0.46576 tf = 6.7661e-12 xtf = 0.42199 vtf = 0.23794
+ itf = 0.001 ptf = 0 cjc = 2.3453e-13 vjc = 0.81969
+ mjc = 0.30232 xcjc = 0.3 tr = 2.3249e-09 cjs= 0
+ vjs = 0.75 mjs = 0 xtb = 0 eg = 1.11
+ xti = 3 fc = 0.73234)
包装 相等的 电路
1
R2 R1
Q2 Q1
2
34
Q1 T502
Q2 t502 (范围 因素: 0.1)
R1 2.7k
R2 27k
BGB420
碎片
L
BO
C
C
CE
C
1
C
3
C
2
C
CB
C
偏差
B
E
L
BI
L
CI
L
CO
L
2
L
1
L
EI
L
EO
1
2
3
4
有效的 向上 至 3ghz
L
BI
0.36 nH
L
B0
0.4 nH
L
EI
0.3 nH
L
EO
0.15 nH
L
CI
0.36 nH
L
CO
0.4 nH
L
1
0.6 nH
L
2
0.4 nH
C
95 fF
C
CB
6fF
C
CE
132 fF
C
1
28 fF
C
2
88 fF
C
3
8fF
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