HYB5116400BJ-60_集成电路资料查询网

HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 5 1998-10-01
块 图解 为 hyb 5(3)117400 (2k-refresh)
数据 在
缓存区
数据 输出
缓存区
i/o1 i/o2 i/o4
OE
Column
解码器
sense 放大器
i/o gating
&放大;
非.2 时钟
发生器
Column
地址
缓存区 (11)
Refresh
控制
Refresh
计数器 (11)
缓存区 (11)
地址
行
非.1 时钟
发生器
11
记忆 排列
解码器
行
2048
.
.
.
.
.
.
2048
.
.
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.
4
4
4
11
11
我们
CAS
RAS
11
2048 2048x
4
x
x4
i/o3
(内部的)
V
发生器
电压 向下
CC
CC
V
SPB02823
11
A10
A9
A8
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A5
A4
A3
A2
A1
A0

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HYB 5116(7)400bj-50/-60 HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60 4M × 4 DRAM 半导体组 5 1998-10-01 块图解为 hyb 5(3)117400 (2k-refresh) 数据在缓存区数据输出缓存区 i/o1 i/o2 i/o4 OE Column 解码器 sense 放大器 i/o gating &放大; 非.2 时钟发生器 Column 地址缓存区 (11) Refresh 控制 Refresh 计数器 (11) 缓存区 (11) 地址行非.1 时钟发生器 11 记忆排列解码器行 2048 . . . . . . 2048 . . . . . . 4 4 4 11 11 我们 CAS RAS 11 2048 2048x 4 x x4 i/o3 (内部的) V 发生器电压向下 CC CC V SPB02823 11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

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