HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 6 1998-10-01
绝对 最大 比率
运行 温度 范围 ........................................................................................... 0 至 70
°
C
存储 温度 范围........................................................................................ – 55 至 150
°
C
输入/输出 电压 (5 v 版本) ................................................... – 0.5 至 最小值 (
V
CC
+ 0.5, 7.0) v
输入/输出 电压 (3.3 v 版本) ................................................ – 0.5 至 最小值 (
V
CC
+ 0.5, 4.6) v
电源 供应 电压 (5 v 版本) .......................................................................– 1.0 v 至 7.0 v
电源 供应 电压 (3.3 v 版本) ....................................................................– 1.0 v 至 4.6 v
电源 消耗( 5 v 版本) ............................................................................................. 1.0 w
电源 消耗 (3.3 v 版本) .......................................................................................... 0.5 w
数据 输出 电流 (短的 电路) ................................................................................................ 50 毫安
便条: 压力 在之上 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的
损坏 的 这 设备. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期
将 影响 设备 可靠性.
直流 特性
T
一个
= 0 至 70
°
c,
V
SS
= 0 v,
t
T
= 2 ns
参数 标识 限制 值 单位 测试
情况
最小值 最大值
5 v 版本
电源 供应 电压
V
CC
4.5 5.5 V
输入 高 电压
V
IH
2.4
V
CC
+ 0.5 V
1
输入 低 电压
V
IL
– 0.5 0.8 V
1
输出 高 电压 (
I
输出
= – 5 毫安)
V
OH
2.4 – V
1
输出 低 电压 (
I
输出
= 4.2 毫安)
V
OL
– 0.4 V
1
3.3 v 版本
电源 供应 电压
V
CC
3.0 3.6 V
输入 高 电压
V
IH
2.0
V
CC
+ 0.5 V
1
输入 低 电压
V
IL
– 0.5 0.8 V
1
ttl 输出 高 电压 (
I
输出
= – 2 毫安)
V
OH
2.4 – V
1
ttl 输出 低 电压 (
I
输出
= 2 毫安)
V
OL
– 0.4 V
1
cmos 输出 高 电压 (
I
输出
= – 100
µ
一个)
V
OH
V
CC
– 0.2 – V
cmos 输出 低 电压 (
I
输出
= 100
µ
一个)
V
OL
– 0.2 V
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