HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 9 1998-10-01
oe 进入 时间
t
OEA
– 13 – 15 ns
column 地址 至 ras 含铅的 时间
t
RAL
25 – 30 – ns
读 command 建制 时间
t
RCS
0–0–ns
读 command 支撑 时间
t
RCH
0–0–ns
11
读 command 支撑 时间 关联 至 RAS
t
RRH
0–0–ns
11
cas 至 输出 在 低-z
t
CLZ
0–0–ns
8
输出 缓存区 转变-止 延迟
t
止
0 13 0 15 ns
12
输出 缓存区 转变-止 延迟 从 OE
t
OEZ
0 13 0 15 ns
12
数据 至 oe 低 延迟
t
DZO
0–0–ns
13
cas 高 至 数据 延迟
t
CDD
13 – 15 – ns
14
oe 高 至 数据 延迟
t
ODD
13 – 15 – ns
14
写 循环
写 command 支撑 时间
t
WCH
8 – 10 – ns
写 command 脉冲波 宽度
t
WP
8 – 10 – ns
写 command 建制 时间
t
WCS
0–0–ns
15
写 command 至 ras 含铅的 时间
t
RWL
13 – 15 – ns
写 command 至 cas 含铅的 时间
t
CWL
13 – 15 – ns
数据 建制 时间
t
DS
0–0–ns
16
数据 支撑 时间
t
DH
10 – 10 – ns
16
数据 至 cas 低 延迟
t
DZC
0–0–ns
13
读-modify-写 循环
读-写 循环 时间
t
RWC
126 – 150 – ns
ras 至 我们 延迟 时间
t
RWD
68 – 80 – ns
15
cas 至 我们 延迟 时间
t
CWD
31 – 35 – ns
15
column 地址 至 我们 延迟 时间
t
AWD
43 – 50 – ns
15
oe command 支撑 时间
t
OEH
13 – 15 – ns
交流 特性
(内容’d)
5, 6
T
一个
= 0 至 70
°
c,
V
CC
= 5 v
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 v,
t
T
= 5 ns
参数 标识 限制 值 单位 便条
-50 -60
最小值 最大值 最小值 最大值
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