九月 1992 2
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 mos 晶体管 BLF245
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
容易 电源 控制
•
好的 热的 稳固
•
withstands 全部 加载 mismatch.
描述
硅 n-频道 增强
模式 vertical d-mos 晶体管
设计 为 大 信号 放大器
产品 在 这 vhf 频率
范围.
这 晶体管 是 encapsulated 在 一个
4-含铅的 sot123 flange 封套, 和
一个 陶瓷的 cap. 所有 leads 是 分开的
从 这 flange.
matched 门-源 电压 (v
GS
)
groups 是 有 在 要求.
固定 - sot123
管脚 描述
1 流
2 源
3 门
4 源
管脚 配置
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装. 这 门-源 输入 必须
是 保护 相反 静态的 承担 在 运输 和 处理.
警告
产品 和 自然环境的 安全 - toxic 材料
这个 产品 包含 beryllium oxide. 这 产品 是 全部地 safe 提供
那 这 beo disc 是 不 损坏. 所有 persons who handle, 使用 或者 dispose 的
这个 产品 应当 是 知道 的 它的 nature 和 的 这 需要 安全
预防措施. 之后 使用, dispose 的 作 化学的 或者 特定的 waste 符合 至
这 regulations 应用 在 这 location 的 这 用户. 它 必须 从不 是 thrown
输出 和 这 一般 或者 domestic waste.
图.1 simplified 外形 和 标识.
lfpage
1
23
4
MSB057
s
d
g
MBB072
快 涉及 数据
rf 效能 在 t
h
= 25
°
c 在 一个 类-b 测试 电路.
模式 的 运作
f
(mhz)
V
DS
(v)
P
L
(w)
G
p
(db)
η
D
(%)
cw, 类-b 175 28 30
>
13
>
50