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资料编号:175297
 
资料名称:BLT71
 
文件大小: 107.09K
   
说明
 
介绍:
UHF power transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 Oct 14 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 blt71/8
热的 特性
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最大值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至
焊接 要点
P
dis
= 2.9 w; t
s
=60
°
c; 便条 1 40 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级; i
C
= 0.5 毫安 16
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基; i
C
=10mA 8
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
= 0.1 毫安 2.5
V
I
CES
集电级 泄漏 电流 V
CE
=8v; v
=0
0.1 毫安
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=5v; i
C
= 100 毫安 25
C
c
集电级 电容 V
CB
= 4.8 v; i
E
=i
e
= 0; f = 1 MHz
7pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 4.8 v; i
C
= 0; f = 1 MHz
5pF
图.2 直流 soar.
T
s
= 115
°
c.
handbook, halfpage
1
10
1
MBK263
10
1
110
I
C
(一个)
V
CE
(v)
10
2
(1)
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
= 4.8 v.
量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
300
µ
s;
δ≤
0.001.
handbook, halfpage
0
100
50
150
0 200 400 600 800
h
FE
I
C
(毫安)
MLD131
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