九月 1991 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLU86
特性
T
j
= 25
°
c.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级;
I
C
= 2.5 毫安
32
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 breadown 电压 打开 根基;
I
C
=10mA
16
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级;
I
E
= 0.5 毫安
3
−−
V
I
CES
集电级-发射级 泄漏 电流 V
是
=0;
V
CE
=16V
−−
1mA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=10v;
I
C
= 150 毫安
25
−−
E
SBR
第二 损坏 活力 L = 25 mh;
R
是
=10
Ω
;
f = 50 Hz
0.3
−−
mJ
C
C
集电级 电容 V
CB
= 12.5 v;
I
E
=I
e
=0;
f = 1 MHz
−
2.2 2.6 pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 12.5 v;
I
C
=0;
f = 1 MHz
−
1.2 1.8 pF
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
handbook, halfpage
MRA237
0
20
40
60
80
100
0 200 400
I
C
(毫安)
600
h
FE
10 v
V
CE
= 12.5 v
图.4 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压, 典型 值.
handbook, halfpage
0
0
1
2
3
4
5
510
V
CB
(v)
C
c
(pf)
15
MRA234
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