8月 1986 4
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 晶体管 BLY87C
特性
T
j
=25
°
C
便条
1. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0,02.
集电级-发射级 损坏 电压
V
是
= 0; i
C
= 5 毫安 V
(br) ces
>
36 V
集电级-发射级 损坏 电压
打开 根基; i
C
= 25 毫安 V
(br)ceo
>
18 V
发射级-根基 损坏 电压
打开 集电级; i
E
= 1 毫安 V
(br)ebo
>
4V
集电级 截-止 电流
V
是
= 0; v
CE
= 18 v I
CES
<
2mA
第二 损坏 活力; l = 25 mh; f = 50 hz
打开 根基 E
SBO
>
0,5 mJ
R
是
=10
Ω
E
SBR
>
0,5 mJ
d.c. 电流 增益
(1)
典型值 40
10 至 100
I
C
= 0,75 一个; v
CE
=5 v h
FE
集电级-发射级 饱和 电压
(1)
I
C
= 2 一个; i
B
= 0,4 一个 V
CEsat
典型值
0,85
V
转变 频率 在 f = 100 mhz
(1)
−
I
E
= 0,75 一个; v
CB
= 13,5 v f
T
典型值 950 MHz
−
I
E
= 2 一个; v
CB
= 13,5 v f
T
典型值 850 MHz
集电级 电容 在 f = 1 mhz
I
E
=I
e
=0;v
CB
= 13,5 v C
c
典型值 16,5 pF
反馈 电容 在 f = 1 mhz
I
C
= 100 毫安; v
CE
= 13,5 v C
re
典型值 12 pF
集电级-stud 电容 C
cs
典型值 2 pF