WRINH 应当 是 设置 在 这 时间 的 包装 组装 和
测试 至 阻止 特定的 读-写 寄存器 从 acci
-
dental 在-writing.
这
有效的 释放
标记 (vdq), 位 3, 是 设置 当 一个
有效的 释放 是 occurring (释放 循环 有效的 为
learning 新 全部 承担 capacity) 和 cleared 如果 一个
partial 承担 是 发现, EDV1 是 asserted 当 T <
0°c, 或者 自-释放 accounts 为 更多 比 256mAh 的
这 释放.
这 VDQ 值 是:
在哪里 VDQ 是:
0 自-释放 是 更好 比 256mah,
edv1 = 1 当 t < 0°c 或者 vq = 1
1 在 第一 释放 之后 rm=fcc
这
停止 EDV
标记 (sedv), 位 2, 是 设置 当 这
释放 电流 > 6.15a 和 cleared 当 这
释放 电流 falls 在下 6.15a.
这 SEDV 值 是:
在哪里 SEDV 是:
0 电流 < 6.15a
1 电流 > 6.15a
这
第一 终止-的-释放 电压
标记 (edv1), 位 1, 是
设置 当 电压 < EDV1 = 1 如果 SEDV = 0 和 cleared
当 VQ = 1 和 电压 > edv1.
这 EDV1 值 是:
在哪里 EDV1 是:
0 vq = 1 和 电压 > edv1
1 电压 < edv1 和 sedv = 0
这
最终 终止-的-释放 电压
标记 (edvf), 位 0, 是
设置 当 电压 < EDVF=1ifSEDV=0andcleared
当 VQ = 1 和 电压() > edvf.
这 EDVF 值 是:
在哪里 EDVF 是:
0 vq = 1 和 电压 > edvf
1 电压 < edvf 和 sedv = 0
软件 重置
这 bq2092 能 是 重置 在 这 串行 端口 用 confirm
-
ing 那 这 WRINH 位 是 设置 至 零 在 flags1, writ
-
ing MaxError (0x0c) 至 任何 值 其它 比 2, 和 writ
-
ing 这 重置 寄存器 (0x44) 至 8009, 造成 这 bq2092
至 reinitialize 和 读 这 default 值 从 这
外部 可擦可编程只读存储器.
错误 代号 和 状态 位
错误 代号 和 状态 位 是 列表 在 表格 7 和
表格 8, 各自.
程序编制 这 bq2092
这 bq2092 需要 这 恰当的 程序编制 的 一个
外部 可擦可编程只读存储器 为 恰当的 设备 运作. 各自
单元 能 是 校准 为 这 greatest 精度, 或者
一般 “default” 值 能 是 使用. 一个 程序编制
kit (接口 板, 软件, 和 缆索) 为 一个 ibm-
兼容 PC 是 有 从 unitrode. 请
联系 Unitrode 为 更远 详细信息
这 bq2092 使用 一个 24LC01 或者 相等的 串行
可擦可编程只读存储器 为 storing 这 各种各样的 最初的 值, calibra
-
tion 数据, 和 string 信息. 表格 1 轮廓 这
参数 和 地址 为 这个 信息. Tables 9
和 10 detail 这 各种各样的 寄存器 内容 和 显示 一个
例子 程序 值 为 一个 1800mAh NiMH 电池
包装, 使用 一个 50m
Ω
sense 电阻.
17
bq2092
flags1 位
76543 2 10
- - - - - SEDV - -
flags1 位
765432 1 0
- - - - - - EDV1 -
flags1 位
7654 3 210
- - - - VDQ - - -
flags1 位
7654321 0
- - - - - - - EDVF
: 点此下载
