slus025f − 将 2001− 修订 july 2002
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应用 信息
selecting 一个 外部 通过-晶体管 (持续)
p-频道 场效应晶体管:
选择 步伐 为 一个 p-频道 场效应晶体管: 例子: v
I
= 5.5 v, i
(reg)
= 500 毫安, 4.2-v 单独的-cell li−ion
(bq2057c). v
I
是 这 输入 电压 至 这 charger 和 i
(reg)
是 这 desired 承担 电流. (看 图示 4.)
1. 决定 这 最大 电源 消耗, p
D
, 在 这 晶体管.
这 worst 情况 电源 消耗 发生 当 这 cell 电压, v
(bat)
, 是 在 它的 最低 (典型地 3 v 在
这 beginning 的 电流 规章制度 阶段) 和 v
I
是 在 它的 最大.
在哪里 v
D
是 这 向前 电压 漏出 横过 这 反转-blocking 二极管 (如果 一个 是 使用), 和 v
CS
是 这
电压 漏出 横过 这 电流 sense 电阻.
P
D
= (v
I
– v
D
− v
(cs)
– v
(bat)
)
×
I
(reg)
P
D
= (5.5 – 0.4 – 0.1 −3)
×
0.5 一个
P
D
= 1 w
2. 决定 这 包装 大小 需要 在 顺序 至 保持 这 接合面 温度 在下 这 生产者’s
推荐 值, t
JMAX
. 计算 这 总的 theta,
θ
(
°
c/w), 需要.
θ
JC
T
最大值(j)
–T
一个(最大值)
P
D
θ
JC
(
150–40
)
1
θ
JC
110
°
C
W
now choose 一个 设备 包装 和 一个 theta 在 least 10% 在下 这个 值 至 账户 为 额外的 thetas
其它 比 这 设备. 一个 tssop-8 包装, 为 instance, 有 典型地 一个 theta 的 70
°
c/w.
3. 选择 一个流-源 电压, v
(ds)
, 比率 更好 比 这 最大 输入 电压. 一个 12 v 设备 将 是
足够的 在 这个 例子.
4. 选择 一个设备 那 有 在 least 50% 高等级的 流 电流 (i
D
) 比率 比 这 desired 承担 电流 i
(reg)
.
5. 核实 那 这 有 驱动 是 大 足够的 至 供应 这 desired 承担 电流.
V
(gs)
= (v
D
+V
(cs)
+ v
ol(cc)
) − v
I
V
(gs)
= (0.4 + 0.1 + 1.5) – 5.5
V
(gs)
= −3.5
在哪里 v
(gs)
是 这 门-至-源 电压, v
D
是 这 向前 电压 漏出 横过 这 反转-blocking 二极管
(如果 一个 是 使用), 和 v
CS
是 这 电压 漏出 横过 这 电流 sense 电阻, 和 v
ol(cc)
是 这 cc 管脚
输出 低 电压 规格 为 这 bq2057.
选择 一个 场效应晶体管 和 门 门槛 电压, v
(gsth)
, 比率 较少 比 这 计算 v
(gs)
.
now choose 一个 p-频道 场效应晶体管 晶体管 那 是 评估 为 vds
≤
−15 v,
θ
JC
≤
110
°
c/w, i
D
≥
1 一个,
V
(gsth)
≥
−3.5 v 和 在 一个 tssop 包装.
(10)
(11)
(12)
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