slus025f − 将 2001− 修订 july 2002
15
www.德州仪器.com
应用 信息
selecting 一个 外部 通过-晶体管
这 bq2057 是 设计 至 工作 和 两个都 pnp 晶体管 和 p-频道 场效应晶体管. 这 设备 应当 是 选择
至 handle 这 必需的 电源 消耗, 给 这 电路 参数, pcb 布局 和 热温 下沉 配置.
这 下列的 examples illustrate 这 设计 处理 为 也 设备:
pnp 晶体管:
选择步伐 为 一个 pnp 双极 晶体管: 例子: v
I
= 4.5 v,I
(reg)
= 1 一个, 4.2-v 单独的-cell li-ion (bq2057c).
V
I
是 这 输入 电压 至 这 charger 和 i
(reg)
是 这 desired 承担 电流 (看 图示 1).
1. 决定 这 最大 电源 消耗, p
D
, 在 这 晶体管.
这 worst 情况 电源 消耗 发生 当 这 cell 电压, v
(bat)
, 是 在 它的 最低 (典型地 3 v 在 这
beginning 的 电流 规章制度 阶段) 和 v
I
是 在 它的 最大.
在哪里 v
CS
是 这 电压 漏出 横过 这 电流 sense 电阻.
P
D
= (v
I
− v
CS
– v
(bat)
)
×
IREG
P
D
= (4.5 – 0.1 − 3)
×
1 一个
P
D
= 1.4 w
2. 决定 这 包装 大小 需要 在 顺序 至 保持 这 接合面 温度 在下 这 生产者’s
推荐 值, t
(j)最大值
. 计算 这 总的 theta,
θ
(
°
c/w), 需要.
θ
JC
T
(j)最大值
T
一个(最大值)
P
D
θ
JC
(
150–40
)
1.4
θ
JC
78
°
C
W
now choose 一个 设备 包装 和 一个 theta 在 least 10% 在下 这个 值 至 账户 为 额外的 thetas
其它 比 这 设备. 一个 sot223 包装, 为 instance, 有 典型地 一个 theta 的 60
°
c/w.
3. 选择 一个集电级-发射级 电压, v
(ce)
, 比率 更好 比 这 最大输入 电压. 一个 15-v 设备 将
是 足够的 在 这个 例子.
4. 选择 一个设备 那 有 在 least 50% 高等级的 流 电流 i
C
比率 比 这 desired 承担 电流 i
(reg)
.
5. 使用 这 下列的 等式, 计算 这 最小 beta (
β
或者 h
FE
) 需要:
最小值
I
CMAX
I
B
最小值
1
0.035
最小值
28
在哪里 i
最大值(c))
是 这 最大 集电级 电流 (在 这个 情况 一样 作 i
(reg)
), 和 i
B
是 这 根基 电流
(选择 至 是 35 毫安 在 这个 例子).
便条:
这 beta 的 一个 晶体管 drops 止 用 一个 因素 的 3 在 温度 和 也 drops 止 和 加载.
因此, note 这 beta 的 设备 在 i
(reg)
和 这最小 包围的 温度 当 choosing
这 设备. 这个 beta 应当 是 大 比 这 最小 必需的 beta.
now choose 一个 pnp 晶体管 那 是 评估 为 v
(ce)
≥
15 v,
θ
JC
≤
78
°
c/w, i
C
≥
1.5 一个,
β
最小值
≥
28 和 那 是 在 一个
sot223 包装.
(7)
(8)
(9)
: 点此下载
