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资料编号:178105
 
资料名称:BQ2000TSN
 
文件大小: 140.28K
   
说明
 
介绍:
Programmable Multi-Chemistry Fast-Charge Management IC
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
11
绝对 最大 比率
标识 参数 最小 最大 单位 注释
V
CC
V
CC
相关的 至 V
SS
-0.3 +7.0 V
V
T
直流 电压 应用 在 任何 管脚, ex
-
cluding V
CC
相关的 至 V
SS
-0.3 +7.0 V
T
OPR
运行 包围的 温度 -20 +70 °C
T
STG
存储 温度 -40 +125 °C
T
焊盘
焊接 温度 - +260 °C 10s 最大值
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是 超过. 函数的 运作
应当 是 限制 至 这 推荐 直流 运行 情况 详细地 在 这个 数据 薄板. 暴露 至
情况 在之外 这 运算的 限制 为 扩展 时期 的 时间 将 影响 设备 可靠性.
直流 门槛
(t
一个
=T
OPR
;v
CC
= 5v
±
20% 除非 否则 指定)
标识 参数 比率 容忍 单位 注释
V
TCO
温度 截止 0.225
*
V
CC
±
5% V 电压 在 管脚 ts
V
HTF
高-温度 故障 0.25 * V
CC
±
5% V 电压 在 管脚 ts
V
LTF
低-温度 故障 0.5
*
V
CC
±
5% V 电压 在 管脚 ts
V
MCV
最大 cell 电压 2.00
±
0.75%
V
V
BAT
> v
MCV
inhibits
快 承担
V
LBAT
最小 cell 电压 950
±
5% mV 电压 在 管脚 bat
V
THERM
ts 输入 改变 为
t/
t 发现
V
161
CC
±
25%
v/最小值
V
SNSHI
高 门槛 在 sns, 结果 在
mod-低
50
±
10
mV 电压 在 管脚 sns
V
SNSLO
低 门槛 在 sns, 结果 在
mod-高
-50
±
10
mV 电压 在 管脚 sns
V
SLP
睡眠-模式 输入 门槛
V
CC
- 1
±
0.5
V 应用 至 管脚 bat
V
RCH
recharge 门槛
V
MCV
- 0.1
±
0.02
V 在 管脚 bat
bq2000T
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