这个 activity unconditionally 写-保护 这 外部
SRAM 作 V
CC
falls 在下 V
PFD
. 如果 一个 记忆 进入 是 在
progress 至 这 外部 SRAM 在 电源-失败 detec-
tion, 那 记忆 循环 持续 至 completion 在之前
这 记忆 是 写-保护. 如果 这 记忆 循环 是
不 terminated 在里面 时间 t
WPT
, 这 碎片 使能 输出
是 unconditionally 驱动 高, 写-protecting 这 con-
trolled sram.
作 这 供应 持续 至 下降 past V
PFD
, 一个 内部的
切换 设备 forces V
输出
至 这 外部 backup en-
ergy 源. CE
输出
是 使保持 高 用 这 V
输出
活力
源.
在 电源-向上, V
输出
是 切换 后面的 至 这 5V sup-
ply 作 V
CC
rises 在之上 这 backup cell 输入 电压
sourcing V
输出
.ce
输出
是 使保持 inactive 为 时间 t
CER
af-
ter 这 电源 供应 有 reached V
PFD
, 独立 的
这 CE
在
输入, 至 准许 为 处理器 stabilization.
在 电源-有效的 运作, 这 CE
在
输入 是 passed
通过 至 这 CE
输出
输出 和 一个 传播 延迟 的
较少 比 12ns.
图示 2 显示 这 硬件 hookup 为 这 外部
内存, 电池, 和 结晶.
一个
primary backup 活力 源 输入 是 提供 在
这 bq4845. 这 BC 输入 accepts 一个 3V primary 电池,
典型地 一些 类型 的 lithium chemistry. 自从 这
bq4845 提供 为 反转 电池 charging 保护,
非 二极管 或者 电流 限制的 电阻 是 需要 在 序列
和 这 cell. 至 阻止 电池 流 当 那里 是 非
有效的 数据 至 retain, V
输出
和 CE
输出
是 内部 iso-
lated 从 BC 用 这 最初的 连接 的 一个 电池. fol-
lowing 这 第一 应用 的 V
CC
在之上 V
PFD
, 这个 iso-
lation 是 broken, 和 这 backup cell 提供 电源 至
V
输出
和 CE
输出
为 这 外部 sram.
这 结晶 应当 是 located 作 关闭 至 X1 和 X2 作
可能 和 满足 这 规格 在 这 结晶
规格 表格. 和 这 指定 结晶, 这
bq4845 RTC 将 是 精确 至 在里面 一个 分钟 每
month 在 房间 温度. 在 这 absence 的 一个 结晶,
一个 32.768 kHz 波形 能 是 喂养 在 X1 和 X2
grounded.
电源-在 重置
这 bq4845 提供 一个 电源-在 重置, 这个 pulls 这
RST 管脚 低 在 电源-向下 和 仍然是 低 在 电源-
向上 为 t
RST
之后 V
CC
passes V
pfd.
和 有效的 电池
电压 在 bc, RST 仍然是 有效的 为 V
CC
=V
SS
.
6
图示 2. bq4845 应用 电路
8月. 1995
bq4845/bq4845y
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