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资料编号:178323
 
资料名称:BQ4842YMA-85
 
文件大小: 676.72K
   
说明
 
介绍:
RTC Module With 128Kx8 NVSRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
14
sept. 1996 C
电源-向下/电源-向上 定时
电源-向下/电源-向上 循环
(t
一个
=T
opr)
标识 参数 最小 典型 最大 单位 情况
t
PF
V
CC
回转, 4.50 4.20 V 300 - -
µ
s
t
FS
V
CC
回转, 4.20 V
所以
10 - -
µ
s
t
PU
V
CC
回转, V
所以
V
PFD
(最大值.)
0--
µ
s
t
CER
碎片 使能 恢复 时间 40 100 200 ms
时间 这个 SRAM
写-保护 之后 V
CC
passes V
FPD
电源-向上.
t
DR
数据-保持 时间
absence V
CC
10 - - T
一个
= 25°c. (2)
t
WPT
写-保护 时间 40 100 160
µ
s
延迟 之后 V
CC
slews 向下
past V
PFD
在之前 SRAM
写-保护.
注释:
1. 典型 表明 运作 T
一个
= 25°c, V
CC
=5v.
2. 电池 disconnected 电路 直到 之后 V
CC
应用 第一 时间. t
DR
accumulated 时间 absence 电源 beginning 电源 第一 应用 设备.
提醒: 负的 undershoots 在下 绝对 最大 比率 -0.3v 电池-backup 模式
影响 数据 integrity.
注释:
1. PWRIE 设置 “1” 使能 电源 失败 中断.
2. RST
INT 打开 需要 一个 外部 拉-向上 电阻.
bq4842Y
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