br24l08-w / br24l08f-w / br24l08fj-w
记忆 ics
br24l08fv-w / br24l08fvm-w
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8) 注释 为 噪音 在 v
CC
•
关于绕过 电容
噪音 和 surges 在 电源 线条 将 导致 这 abnormal 函数. 它 是 推荐 那 这 绕过 电容
(0.1
µ
f) 是 连结 在 这 v
CC
和 地 线条 beside 这 设备.
这 attachment 的 绕过 电容 在 这 板 near 用 连接器 是 也 推荐.
地 V
CC
打印 根基
IC
电容 0.01 至 0.1
µ
F
电容 10 至 100
µ
F
9) 这 注意 关于 这 连接 的 控制
•
关于R
S
这 打开 流 接口 是 推荐 为 sda 端口 在 i
2
c 总线. 但是, 在 这 情况 那 触发-状态 cmos 接口 是
应用 至 sda, insert 一个 序列 resister r
S
在 sda 管脚 的 这 设备 和 一个 拉 向上 resister r
PU
. 它 限制 这
电流 从 pmos 的 控制 至 nmos 的 可擦可编程只读存储器.
R
S
也 保护 sda 管脚 从 surges. 因此, r
S
是 能 至 是 使用 though sda 端口 是 打开 流.
sda 管脚
R
PU
R
S
控制 可擦可编程只读存储器
"h" 输出 的
控制
"l" 输出 的
可擦可编程只读存储器
ACK
SCL
SDA
这 "h" 输出 的 控制
和 这 "l" 输出 的 可擦可编程只读存储器 将 导致
电流 超载 至 sda 线条.