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资料编号:17956
 
资料名称:MCM62110FN20
 
文件大小: 206.62K
   
说明
 
介绍:
32K x 9 Bit Synchronous Dual I/O or Separate I/O Fast Static RAM with Parity Checker
 
 


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MCM62110
3
motorola 快 sram
parity checker
parity scheme DPE
e1 = v
IH
和/或者 e2 = v
IL
ramp = ram0
RAM1
. . .
RAM7
RAMP
RAM0
RAM1
. . .
RAM7
1
1
0
便条: ramp,RAM0, ram1 . . . , 谈及 至 这 数据 那 是 呈现 在 这 rams 内部的总线,
必然地 数据 那 resides在 这 内存 排列. dpe
是 总是 delayed 一个
时钟,和 是 注册 在 这 rising 边缘 的 k 在 这 beginning 的 这 下列的 时钟
循环 (看 交流 特性).
绝对 最大 比率
(电压 关联 至 v
SS
= v
SSQ
= 0 v)
比率 标识 单位
电源 供应 V
CC
– 0.5 至 + 7.0 V
电压 相关的 至 v
SS
/v
SSQ
为 任何
管脚 除了 v
CC
和 v
CCQ
V
, v
输出
– 0.5 至 v
CC
+ 0.5 V
输出 电流 (每 i/o) I
输出
±
20 毫安
电源 消耗 P
D
1.2 W
温度 下面 偏差 T
偏差
– 10 至 + 85
°
C
运行 温度 T
一个
0 至 +70
°
C
存储 温度 T
stg
– 55 至 + 125
°
C
便条: 永久的设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 ratings 是
超过.函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 oper-
ATING情况. 暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为
扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
这个设备 包含 电路系统 至 保护 这
输入相反 损坏 预定的 至高 静态的 volt
-
ages或者 electric地方; 不管怎样, 它 是 advised
正常的预防措施 是 带去 至 避免
应用任何 电压 高等级的 比 maxi-
mum评估 电压 至 这个high–impedance
电路.
这个cmos 记忆 电路 有 被
设计至 满足 这 直流 和 交流 规格
显示 在 这 tables, 之后 热的 equilibrium
有 被 established.
这个设备 包含电路系统 那 将
确保这 输出 设备 是 在 high–z 在
电源 向上.
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