MC13150
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motorola 相似物 ic 设备 数据
local oscillators
hf &放大; vhf 产品
在 这 应用 图式, 一个 外部 sourced local
振荡器 是 使用 在 这个 这 根基 是 片面的 通过 一个 51
Ω
电阻 至 v
CC
. 不管怎样, 这 on–chip grounded 集电级
晶体管 将 是 使用 为 hf 和 vhf local oscillators 和
高等级的 顺序 overtone crystals. 图示 16 显示 一个 5th
overtone 振荡器 在 83.616 mhz. 这 电路 使用 一个 butler
overtone 振荡器 配置. 这 放大器 是 一个 发射级
追随着. 这 结晶 是 驱动 从 这 发射级 和 是 结合
至 这 高 阻抗 根基 通过 一个 电容的 tap
网络. 运作 在 这 desired overtone 频率 是
保证 用 这 并行的 resonant 电路 formed 用 这
能变的 inductor 和 这 tap 电容 和 parasitic
capacitances 的 这 on–chip 晶体管 和 pc 板. 这
能变的 inductor 指定 在 这 图式 可以 是
replaced 和 一个 高 容忍, 高 q 陶瓷的 或者 空气 伤害
表面 挂载 组件 如果 这 其它 组件 有 tight
足够的 容忍. 一个 能变的 inductor 提供 一个
调整 为 增益 和 频率 的 这 resonant tank
ensuring 锁 向上 和 start–up 的 这 结晶 振荡器. 这
overtone 结晶 是 选择 和 等效串联电阻 的 典型地 80
Ω
和
120
Ω
最大; 如果 这 resistive 丧失 在 这 结晶 是 too 高
这 效能 的 振荡器 将 是 impacted 用 更小的 增益
margins.
一个 序列 lc 网络 至 交流 地面 (这个 是 v
CC
) 是
包括 的 这 电感 的 这 根基 含铅的 的 这 on–chip
晶体管 和 pc 板 查出 和 tap 电容. parasitic
振动 常常 出现 在 这 200 至 800 mhz 范围. 一个 小
电阻 是 放置 在 序列 和 这 根基 (管脚 28) 至 cancel 这
负的 阻抗 有关联的 和 这个 undesired 模式 的
振动. 自从 这 根基 输入 阻抗 是 所以 大, 一个
小 电阻 在 这 范围 的 27 至 68
Ω
有 非常 little 效应
在 这 desired butler 模式 的 振动.
这 结晶 并行的 电容, c
o
, 提供 一个 反馈
path 那 是 低 足够的 在 reactance 在 发生率 的 5th
overtones 或者 高等级的 至 导致 trouble. c
o
有 little 效应 near
resonance 因为 的 这 低 阻抗 的 这 结晶
motional arm (r
m
–L
m
–C
m
). 作 这 tunable inductor, 这个
形式 这 resonant tank 和 这 tap 电容, 是 tuned 止
这 结晶 resonant 频率, 它 将 是 difficult 至 tell 如果 这
振动 是 下面 结晶 控制. 频率 jumps 将
出现 作 这 inductor 是 tuned. 在 顺序 至 eliminate 这个
行为 一个 inductor, l
o
, 是 放置 在 并行的 和 这 结晶.
L
o
是 选择 至 resonant 和 这 结晶 并行的 电容,
C
o,
在 这 desired 运作 频率. 这 inductor 提供
一个 反馈 path 在 发生率 好 在下 resonance;
不管怎样, 这 并行的 tank 网络 的 这 tap 电容 和
tunable inductor 阻止 振动 在 这些 发生率.
图示 16. mc13150ftb overtone 振荡器
f
RF
= 83.16 mhz; f
LO
= 83.616 mhz
5th overtone 结晶 振荡器
MC13150
Mixer
V
EE
28
33
(4)
0.135
µ
H
39 p
27 k
10 n
1.0
µ
H
V
CC
(3)
5th ot
XTAL
+
29
31
1.0
µ
39 p
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