bs170 rev. c / mmbf170 rev. d
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
J
bv , normalized
DSS
i = 100µa
D
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
v = 0v
GS
t = 125°c
J
SD
S
25°C
-55°c
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i =500ma
D
v = 25v
DS
1 2 3 5 10 20 30 50
1
2
5
10
20
40
60
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
在
输出
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
输入, v
在
输出, v
输出
t
在
t
止
t
d(止)
t
f
t
r
t
d(在)
Inverted
10%
脉冲波 宽度
图示 7. 损坏 电压 变化
和 温度
.
图示 8. 身体 二极管 向前 电压 变化 和
电流 和 温度.
图示 9.电容 特性
.
图示 10. 门 承担 特性
.
图示 11.切换 测试 电路
.
图示 12.切换 波形
.
典型 电的 特性
(持续)
bs170 / mmbf170
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