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资料编号:179999
 
资料名称:BS208
 
文件大小: 64.34K
   
说明
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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电的 特性
比率 在
流-源 损坏 电压
在 –i
D
= 100
µ
一个, v
GS
= 0
–V
(br)dss
240 250 V
门-身体 泄漏 电流
在 –v
GS
= 15 v, v
DS
= 0
–I
GSS
––10nA
流 截止 电流
在 –v
DS
= 130 v, v
GS
= 0
在 –v
DS
= 70 v, –v
GS
= 0.2 v
–I
DSS
–I
DSX
1
25
µ
一个
µ
一个
门-源 门槛 电压
在 v
GS
= v
DS
, –i
D
= 1 毫安
–V
GS(th)
0.8 1.5 2.5 V
流-源 在 阻抗
在 –v
GS
= 5 v, –i
D
= 100 毫安
R
DS(在)
–714
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气 R
thJA
150
1)
k/w
Capacitances
在 –v
DS
= 20 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
输入 电容
输出 电容
反馈 电容
C
iss
C
oss
C
rss
200
30
10
pF
pF
pF
切换 时间 在 –i
D
= 200 毫安, –u
GS
= 10 v
Tu r n - o n T i m e
下降 时间
t
t
f
5
15
ns
ns
1)
有效的 提供 那 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况.
BS208
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