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资料编号:180450
资料名称:
BSM35GB120DN2
文件大小: 110.27K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)
: 点此下载
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
三月-28-1996
bsm 35 gb 120 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
切换 特性, inductive 加载 在
T
j
= 125 °c
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= 15 v,
I
C
= 35 一个
R
Gon
= 39
Ω
t
d(在)
-
60
120
ns
上升 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= 15 v,
I
C
= 35 一个
R
Gon
= 39
Ω
t
r
-
60
120
转变-止 延迟 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= -15 v,
I
C
= 35 一个
R
Goff
= 39
Ω
t
d(止)
-
400
600
下降 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= -15 v,
I
C
= 35 一个
R
Goff
= 39
Ω
t
f
-
50
75
自由-轮子 二极管
二极管 向前 电压
I
F
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
F
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
F
-
-
1.9
2.3
-
2.8
V
反转 恢复 时间
I
F
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs,
T
j
= 125 °c
t
rr
-
0.25
-
µs
反转 恢复 承担
I
F
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs
T
j
= 25 °c
T
j
= 125 °c
Q
rr
-
-
5
2
-
-
µC
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