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资料编号:180450
资料名称:
BSM35GB120DN2
文件大小: 110.27K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area)
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
5
三月-28-1996
bsm 35 gb 120 dn2
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
一个
70
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 125 °c
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
一个
70
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 转移 特性
I
C
= f (v
GE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
CE
= 20 v
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
一个
70
I
C
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