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资料编号:180457
资料名称:
BSM100GB170DN2
文件大小: 130.95K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
: 点此下载
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3
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
2
8月-01-1996
bsm 100 gb 170 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
静态的 特性
门 门槛 电压
V
GE
=
V
ce,
I
C
= 8 毫安
V
ge(th)
4.8
5.5
6.2
V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15 v,
I
C
= 100 一个,
T
j
= 25 °c
V
GE
= 15 v,
I
C
= 100 一个,
T
j
= 125 °c
V
ce(sat)
-
-
4.5
3.4
5.3
3.9
零 门 电压 集电级 电流
V
CE
= 1700 v,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
CE
= 1700 v,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
I
CES
-
-
3.2
0.8
-
1
毫安
门-发射级 泄漏 电流
V
GE
= 20 v,
V
CE
= 0 v
I
GES
-
-
320
nA
交流 特性
跨导
V
CE
= 20 v,
I
C
= 100 一个
g
fs
36
-
-
S
输入 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
16
-
nF
输出 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
1.3
-
反转 转移 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
0.5
-
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