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资料编号:180458
资料名称:
BSM150GB120DN2
文件大小: 131.29K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
5
三月-28-1996
bsm 150 gb 120 dn2
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
一个
300
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 输出 特性
I
C
= f (v
CE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 125 °c
0
1
2
3
V
5
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
一个
300
I
C
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值 转移 特性
I
C
= f (v
GE
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
CE
= 20 v
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
一个
300
I
C
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