半导体 组
6 三月-28-1996
bsm 150 gb 120 dn2
典型值 门 承担
V
GE
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
c puls
= 150 一个
0 200 400 600 800 nC 1100
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 v600 v
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
参数:
V
GE
= 0 v, f = 1 mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
CE
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
反转 片面的 safe 运行 范围
I
Cpuls
= f(v
CE
)
,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= 15 v
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C
短的 电路 safe 运行 范围
I
Csc
= f(v
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= ± 15 v,
t
SC
≤
10 µs, l < 25 nh
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/
I
C