technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
bsm 200 gb 60 dlc
Z
thJC
[k / w]
t [sec]
i
1234
r
i
[k/kw]
: igbt 7,2 89,1 59,9 13,8
τ
i
[sec]
: igbt 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
r
i
[k/kw]
: 二极管 102,2 98,0 61,6 28,2
τ
i
[sec]
: 二极管 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115
I
C
[A]
V
CE
[V]
sicherer arbeitsbereich (rbsoa)
反转 偏差 safe 运作 范围 (rbsoa)
V
GE
= +15v, r
g,止
= 1,5
Ω,
Ω,Ω,
Ω,
T
vj
= 125°c
transienter wärmewiderstand z
thJC
= f (t)
瞬时 热的 阻抗
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0 100 200 300 400 500 600 700
ic,modul
ic,碎片
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
zth:igbt
zth:二极管
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bsm 200 gb 60 dlc
2000-02-08