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资料编号:180479
资料名称:
BSM100GD120DN2
文件大小: 185.21K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
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jul-17-1996
bsm 100 gd 120 dn2
典型值 切换 时间
i = f (i
C
) ,
inductive 加载 , t
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 6.8
Ω
0
50
100
150
一个
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I
C
1
10
2
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3
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ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 时间
t = f (r
G
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 100 一个
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Ω
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R
G
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10
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ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
典型值 切换 losses
e = f (i
C
) ,
inductive 加载 ,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600 v,
V
GE
= ± 15 v,
R
G
= 6.8
Ω
0
50
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150
一个
250
I
C
0
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20
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mWs
60
E
Eon
Eoff
典型值 切换 losses
e = f (r
G
) ,
inductive 加载
,
T
j
= 125°c
par.:
V
CE
= 600v,
V
GE
= ± 15 v,
I
C
= 100 一个
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R
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