technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
bsm15gd120dlc e3224
Z
thJC
[k / w]
t [sec]
i
1234
r
i
[k/kw]
: igbt 388 326,8 118,7 26,5
τ
i
[sec]
: igbt 0,048 0,049 0,055 1,149
r
i
[k/kw]
: 二极管 164,3 438,7 778,6 118,4
τ
i
[sec]
: 二极管 0,003 0,018 0,043 0,312
I
C
[A]
V
CE
[V]
sicherer arbeitsbereich (rbsoa)
反转 偏差 safe 运作 范围 (rbsoa)
V
GE
= 15v, r
g
= 56 ohm, t
vj
= 125°c
transienter wärmewiderstand z
thJC
= f (t)
瞬时 热的 阻抗
0
5
10
15
20
25
30
35
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
ic,modul
ic,碎片
0,01
0,1
1
10
0,001 0,01 0,1 1 10 100
zth:二极管
zth:igbt
7(8)
seriendatenblatt_bsm15gd120dlc-e3224.xls