BSM50GB120DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
3 三月-29-1996
bsm 50 gb 120 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
切换 特性, inductive 加载 在
T
j
= 125 °c
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= 15 v,
I
C
= 50 一个
R
Gon
= 22
Ω
t
d(在)
- 44 100
ns
上升 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= 15 v,
I
C
= 50 一个
R
Gon
= 22
Ω
t
r
- 56 100
转变-止 延迟 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= -15 v,
I
C
= 50 一个
R
Goff
= 22
Ω
t
d(止)
- 380 500
下降 时间
V
CC
= 600 v,
V
GE
= -15 v,
I
C
= 50 一个
R
Goff
= 22
Ω
t
f
- 70 100
自由-轮子 二极管
二极管 向前 电压
I
F
= 50 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
F
= 50 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
F
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
反转 恢复 时间
I
F
= 50 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs,
T
j
= 125 °c
t
rr
- 0.2 -
µs
反转 恢复 承担
I
F
= 50 一个,
V
GE
= 0 v
V
R
= -600 v,
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs,
T
j
= 25 °c
V
R
- 600 v,
d
i
F
/
dt
- 800 一个/µs,
T
j
= 125 °c
Q
rr
-
-
8
2.8
-
-
µC

标　题:
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半导体组 3 三月-29-1996 bsm 50 gb 120 dn2 电的特性 , 在 t j = 25 °c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值切换特性, inductive 加载在 T j = 125 °c 转变-在延迟时间 V CC = 600 v, V GE = 15 v, I C = 50 一个 R Gon = 22 Ω t d(在) - 44 100 ns 上升时间 V CC = 600 v, V GE = 15 v, I C = 50 一个 R Gon = 22 Ω t r - 56 100 转变-止延迟时间 V CC = 600 v, V GE = -15 v, I C = 50 一个 R Goff = 22 Ω t d(止) - 380 500 下降时间 V CC = 600 v, V GE = -15 v, I C = 50 一个 R Goff = 22 Ω t f - 70 100 自由-轮子二极管二极管向前电压 I F = 50 一个, V GE = 0 v, T j = 25 °c I F = 50 一个, V GE = 0 v, T j = 125 °c V F - - 1.8 2.3 - 2.8 V 反转恢复时间 I F = 50 一个, V R = -600 v, V GE = 0 v d i F / dt = -800 一个/µs, T j = 125 °c t rr - 0.2 - µs 反转恢复承担 I F = 50 一个, V GE = 0 v V R = -600 v, d i F / dt = -800 一个/µs, T j = 25 °c V R - 600 v, d i F / dt - 800 一个/µs, T j = 125 °c Q rr - - 8 2.8 - - µC

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