半导体 组
4 jul-16-1996
bsm 75 gb 170 dn2
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
W
650
P
tot
safe 运行 范围
I
C
=
ƒ
(
V
CE
)
参数:
D
= 0
, t
C
= 25°c ,
T
j
≤
150 °c
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
I
C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
直流
10 ms
1 ms
100 µs
10 µs
1 µs
t
p
= 800.0ns
集电级 电流
I
C
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GE
≥
15 v ,
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
一个
120
I
C
瞬时 热的 阻抗 igbt
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
k/w
Z
thJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50