半导体 组
5 sep-12-1996
bsp 317
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
一个
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
2.0
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
一个
)
参数:
V
GS
≥
-10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
一个
0.00
-0.04
-0.08
-0.12
-0.16
-0.20
-0.24
-0.28
-0.32
一个
-0.38
I
D
safe 运行 范围
I
D
=f(
V
DS
)
参数 :
D
= 0,
T
C
=25°C
瞬时 热的 阻抗
Z
th ja
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
k/w
Z
thJC
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50