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资料编号:180622
 
资料名称:BSP315P
 
文件大小: 83.78K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-09-14
页 6
bsp 315 p
初步的 数据
典型值 流-源-在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0
一个
-2.6
I
D
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.6
bsp 315 p
R
ds(在)
一个
V
GS
[v] =
一个
-2.5
b
b
-3.0
c
c
-3.5
d
d
-4.0
e
e
-4.5
f
f
-5.0
g
g
-5.5
h
h
-6.0
i
i
-6.5
j
j
-7.0
k
k
-8.0
l
l
-10.0
典型值 输出 特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0
V
-5.0
V
DS
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2.0
-2.2
-2.4
一个
-2.8
bsp 315 p
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -2.5
b
b -3.0
c
c -3.5
d
d -4.0
e
e -4.5
f
f -5.0
g
g -5.5
h
h -6.0
i
i -6.5
j
j -7.0
k
k -8.0
l
P
tot
= 2w
l -10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0
V
-6.0
V
GS
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
一个
-3.0
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
= f(i
D
); t
j
=25°C
参数:
g
fs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
一个
3.0
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
S
2.5
g
fs
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