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资料编号:180633
 
资料名称:BSP129
 
文件大小: 321.36K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSP129
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
- 82 108 pF
输出 电容
C
oss
-1216
反转 转移 电容
C
rss
-610
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 4.4 6.6 ns
上升 时间
t
r
- 4.1 6.2
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-2233
下降 时间
t
f
-3553
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
- 0.24 0.36 nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 1.7 2.6
门 承担 总的
Q
g
- 3.8 5.7
门 plateau 电压
V
plateau
- 0.37 - V
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
- - 0.35 一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
- - 1.4
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=-3 v,
I
F
=0.35 一个,
T
j
=25 °c
- 0.79 1.2 V
反转 恢复 时间
t
rr
-5380ns
反转 恢复 承担
Q
rr
-6597nc
V
R
=120 v,
I
F
=0.2 一个,
d
i
F
/d
t
=100 一个/µs
T
一个
=25 °c
V
GS
=-3 v,
V
DS
=25 v,
f
=1 mhz
V
DD
=120 v,
V
GS
=-2...5 v,
I
D
=0.2 一个,
R
G
=7.6
V
DD
=192 v,
I
D
=0.2 一个,
V
GS
=-3 至 5 v
rev. 1.0 页 3 2003-03-28
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