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资料编号:180645
 
资料名称:BSP123
 
文件大小: 160.74K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
 
 


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2003-02-26
页 5
rev. 1.0
BSP123
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
T
j
= 25 °c,
V
GS
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
V
5
V
DS
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
一个
0.7
I
D
10V
5V
4.5v
4.1v
3.9v
3.7v
3.5v
3.1v
2.9v
2.3v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j= 25 °c,
V
GS
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
一个
0.7
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
R
ds(在)
2.3v
2.9v
3.1v
3.5v
3.7v
3.9v
4.1v
4.5v
5.0v
10V
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
T
j= 25 °c
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
V
5
V
GS
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
一个
0.7
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
)
参数:
T
j= 25 °c
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
一个
0.7
I
D
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
S
0.4
g
fs
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