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资料编号:180667
 
资料名称:BSP170P
 
文件大小: 152.82K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-16
页 5
最终 数据
bsp 170 p
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4
V
-5
V
DS
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
一个
-5
bsp 170 p
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -4.0
b
b -4.5
c
c -5.0
d
d -5.5
e
e -6.0
f
f -6.5
g
P
tot
= 1.8w
g -7.0
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2 -2.4 -2.8
一个
-3.4
I
D
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1
bsp 170 p
R
ds(在)
V
GS
[v] =
一个
一个
-4.0
b
b
-4.5
c
c
-5.0
d
d
-5.5
e
e
-6.0
f
f
-6.5
g
g
-7.0
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0 1 2 3 4 5 6
V
8
-
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
一个
16
-
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0 3 6 9
一个
15
-
I
D
0
1
2
3
4
S
6
gfs
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