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手机版
资料编号:180695
资料名称:
BSP255
文件大小: 65.86K
说明
:
介绍
:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1996
8月
05
5
飞利浦 半导体
产品 规格
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管
BSP255
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压
V
GS
=
0; i
D
=
−
10
µ
一个
−
300
−−
V
V
GSth
门-源 门槛 电压
V
GS
=V
DS
; i
D
=
−
1mA
−
0.8
−−
2V
I
DSS
流-源 泄漏 电流
V
GS
=
0; v
DS
=
−
240
V
−−−
100
nA
I
GSS
门 泄漏 电流
V
GS
=
±
20
v; v
DS
=0
−−±
100
nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=
−
10
v; i
D
=
−
160
毫安
−−
17
Ω
V
GS
=
−
4.5
v; i
D
=
−
80
毫安
−−
20
Ω
V
GS
=
−
2.8
v; i
D
=
−
50
毫安
−−
25
Ω
C
iss
输入 电容
V
GS
=
0; v
DS
=
−
50
v; f
=
1
MHz
−
45
−
pF
C
oss
输出 电容
V
GS
=
0; v
DS
=
−
50
v; f
=
1
MHz
−
15
−
pF
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=
0; v
DS
=
−
50
v; f
=
1
MHz
−
3
−
pF
Q
g
总的 门 承担
V
GS
=
−
10
v; v
DD
=
−
50
v;
I
D
=
−
160
毫安; t
amb
=25
°
C
−
2.3
−
nC
Q
gs
门-源 承担
V
GS
=
−
10
v; v
DD
=
−
50
v;
I
D
=
−
160
毫安; t
amb
=25
°
C
−
0.1
−
nC
Q
gd
门-流 承担
V
GS
=
−
10
v; v
DD
=
−
50
v;
I
D
=
−
160
毫安; t
amb
=25
°
C
−
0.7
−
nC
切换 时间
(看 图.11)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
GS
=0to
−
10
v; v
DD
=
−
50
v;
I
D
=
−
160
毫安; r
gen
=50
Ω
−
2.4
−
ns
t
r
上升 时间
−
1.6
−
ns
t
在
转变-在 切换 时间
−
4
−
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
V
GS
=
−
10
至
0
v; v
DD
=
−
50
v;
I
D
=
−
160
毫安; r
gen
=50
Ω
−
13
−
ns
t
f
下降 时间
−
12
−
ns
t
止
转变-止 切换 时间
−
25
−
ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 向前 电压
V
GD
=
0; i
S
=
−
0.5
一个
−−−
1.8
V
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