BSP121_集成电路资料查询网

1998 Apr 01 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP121
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed
流-源 损坏 电压
I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0 V
(br)dss
最小值 200 V
流-源 泄漏 电流
V
DS
= 160 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 1.0
µ
一个
V
DS
= 60 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 200 nA
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v; v
DS
=0
±
I
GSS
最大值 100 nA
门 门槛 电压
最小值
最大值
0.8
2.8
V
V
I
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
V
gs(th)
流-源 在-阻抗
典型值
最大值
4.5
6.0
Ω
Ω
I
D
= 400 毫安; v
GS
= 10 v R
ds(在)
转移 admittance
最小值
典型值
200
350
mS
mS
I
D
= 400 毫安; v
DS
= 25 v

Y
fs

输入 电容 在 f = 1 mhz
典型值
最大值
45
60
pF
pF
V
DS
= 25 v; v
GS
=0 C
iss
输出 电容 在 f = 1 mhz
典型值
最大值
15
25
pF
pF
V
DS
= 25 v; v
GS
=0 C
oss
反馈 电容 在 f = 1 mhz
典型值
最大值
3.5
10
pF
pF
V
DS
= 25 v; v
GS
=0 C
rss
切换 时间 (看 figs 2 和 3)
典型值
最大值
5
10
pF
pF
I
D
= 250 毫安; v
DD
= 50 v; v
GS
= 0 至 10 v t
在
t
止
典型值
最大值
15
20
ns
ns

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

1998 Apr 01 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP121 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed 流-源损坏电压 I D =10 µ 一个; v GS =0 V (br)dss 最小值 200 V 流-源泄漏电流 V DS = 160 v; v GS =0 I DSS 最大值 1.0 µ 一个 V DS = 60 v; v GS =0 I DSS 最大值 200 nA 门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v; v DS =0 ± I GSS 最大值 100 nA 门门槛电压最小值最大值 0.8 2.8 V V I D = 1 毫安; v DS = v GS V gs(th) 流-源在-阻抗典型值最大值 4.5 6.0 Ω Ω I D = 400 毫安; v GS = 10 v R ds(在) 转移 admittance 最小值典型值 200 350 mS mS I D = 400 毫安; v DS = 25 v  Y fs  输入电容在 f = 1 mhz 典型值最大值 45 60 pF pF V DS = 25 v; v GS =0 C iss 输出电容在 f = 1 mhz 典型值最大值 15 25 pF pF V DS = 25 v; v GS =0 C oss 反馈电容在 f = 1 mhz 典型值最大值 3.5 10 pF pF V DS = 25 v; v GS =0 C rss 切换时间 (看 figs 2 和 3) 典型值最大值 5 10 pF pF I D = 250 毫安; v DD = 50 v; v GS = 0 至 10 v t 在 t 止典型值最大值 15 20 ns ns

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com