1998 Apr 01 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP121
图.6 转移 典型的; v
DS
= 10 v;
T
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
0
1.2
1.6
0.8
0.4
0
24 1086
MDA746
I
D
(一个)
V
GS
(v)
图.7 电容 作 一个 函数 的 流-源
电压; v
GS
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c;
典型 值.
handbook, halfpage
0
120
160
80
40
0
510 252015
MDA747
C
(pf)
V
DS
(v)
C
rss
C
iss
C
oss
图.8 T
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
144 68
I
D
(毫安)
R
DSon
(
Ω
)
10 12
10
4
10
3
10
2
10
MDA748
V
GS
= 10 v
5 v
4 v
图.9
V
gs(th)
在 1 毫安; 典型 值.
k
V
GS th
()
在 T
j
V
GS th
()
在 25
°
C
---------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
−
50 0 50
T
j
(
°
c)
k
150
1.4
1.2
0.8
0.6
1
100
MDA749