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资料编号:180805
 
资料名称:BSS84LT1
 
文件大小: 67.41K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 130 mA, 50 V
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BSS84LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 250
模数转换器)
V
(br)dss
50 Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 50 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 50 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
0.1
15
60
模数转换器
gate−body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0 vdc) I
GSS
±
10 nAdc
在 特性
(便条 1)
gate−source threaded 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个)
V
gs(th)
0.9 2.0 Vdc
静态的 drain−to−source on−resistance
(v
GS
= 5.0 vdc, i
D
= 100 madc)
R
ds(在)
5.0 10
转移 admittance
(v
DS
= 25 vdc, i
D
= 100 madc, f = 1.0 khz)
|y
fs
| 50 mS
动态 特性
输入 电容
V
DS
= 5.0 vdc C
iss
30
pF
输出 电容 V
DS
= 5.0 vdc C
oss
10
转移 电容 V
DG
= 5.0 vdc C
rss
5.0
切换 特性
(便条 2)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
2.5
ns
上升 时间
V
DD
= −15
vdc, i
D
= −2.5 模数转换器,
t
r
1.0
turn−off 延迟 时间
V
DD
=−15
Vdc,I
D
=−2.5 模数转换器,
R
L
= 50
t
d(止)
16
下降 时间 t
f
8.0
门 承担 Q
T
6000 pC
source−drain 二极管 特性
持续的 电流
I
S
0.130
一个
搏动 电流 I
SM
0.520
向前 电压 (便条 2) V
GS
= 0 v, i
S
= 130 毫安 V
SD
2.2 V
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
2. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
典型 电的 特性
0
0.3
0.4
0.1
0.6
0.2
图示 1. 转移 特性
1 1.5 2 2.5 3
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 2. on−region 特性
V
DS
= 10 v
150
°
C
25
°
C
−55
°
C
024 10
0
0.15
0.2
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
6
0.05
8
0.3
0.1
3.5
0.5
0.25
13 957
3.25 v
2.75 v
2.25 v
2.5 v
3.0 v
V
GS
= 3.5 v
4
0.35
0.4
0.5
0.45
T
J
= 25
°
C
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