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资料编号:180861
资料名称:
BSS79C
文件大小: 157.7K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon Switching Transistors (High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bss79, bss81
2
十一月-30-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BSS79
BSS81
V
(br)ceo
40
35
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
E
= 0
V
(br)cbo
75
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
6
-
-
集电级 截止 电流
V
CB
= 60 v,
I
E
= 0
I
CBO
-
-
10
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 60 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
-
-
10
µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 3 v,
I
C
= 0
I
EBO
-
-
10
nA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 100 µa,
V
CE
= 10 v
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 150 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 10 v
bss79/81b
bss79/81c
bss79/81b
bss79/81c
bss79/81b
bss79/81c
bss79/81b
bss79/81c
bss79/81b
bss79/82c
h
FE
20
35
25
50
35
75
40
100
25
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
300
-
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 150 毫安,
I
B
= 15 毫安
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
-
-
-
-
0.3
1.3
V
根基-发射级 饱和 电压 1)
I
C
= 150 毫安,
I
B
= 15 毫安
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
BEsat
-
-
-
-
1.2
2.0
1) 脉冲波 测试: t
≤
=
300
µ
s, d = 2%
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