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资料编号:180935
资料名称:
BSS123
文件大小: 133.21K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-12-10
页 2
rev. 1.0
BSS123
热的 特性
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 包围的
在 最小 footprint
R
thJA
-
-
350
k/w
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
=0,
I
D
=250µA
V
(br)dss
100
-
-
V
门 门槛 电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=50µA
V
gs(th)
0.8
1.4
1.8
零 门 电压 流 电流
V
DS
=100v,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=100v,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
I
DSS
-
-
-
-
0.01
5
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
=20v,
V
DS
=0
I
GSS
-
-
10
nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v,
I
D
=0.13a
R
ds(在)
-
4
10
Ω
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=10v,
I
D
=0.17a
R
ds(在)
-
3
6
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