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资料编号:181718
 
资料名称:MMBT5551
 
文件大小: 97.56K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Transistors
 
 


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2n5551 / mmbt5551
电的 特性
ta = 25
°
c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
小 信号 特性
V
(BR)CEO
Collector-发射级 sustaining voltage* I
C
= 1.0 毫安, i
B
= 0 160 V
V
(BR)CBO
Collector-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个, i
E
= 0
180 V
V
(BR)ebo
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
6.0 V
I
CBO
集电级 截止 电流 V
CB
= 120 v, i
E
= 0,
V
CB
= 120 v, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
C
50
50
nA
µ
一个
I
EBO
发射级 截止 电流 V
EB
= 4.0 v, i
C
= 0 50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1.0 毫安, v
CE
= 5.0 v
I
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v
I
C
= 50 毫安, v
CE
= 5.0 v
80
80
30
250
V
ce(
sat
)
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安, i
B
= 1.0 毫安
I
C
= 50 毫安, i
B
= 5.0 毫安
0.15
0.20
V
V
V
是(
sat
)
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安, i
B
= 1.0 毫安
I
C
= 50 毫安, i
B
= 5.0 毫安
1.0
1.0
V
V
f
T
电流 增益 - 带宽 产品 I
C
= 10 毫安, v
CE
= 10 v,
f = 100 mhz
100 300 MHz
C
obo
输出 电容 V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1.0 mhz
6.0 pF
C
ibo
输入 电容 V
= 0.5 v, i
C
= 0,
f = 1.0 mhz
20 pF
h
fe
小-信号 电流 增益 I
C
= 1.0 毫安, v
CE
= 10 v,
f = 1.0 khz
50 250
NF 噪音 图示
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= 5.0 v,
R
S
=1.0 k
, f=10 hz 至 15.7 khz
8.0 dB
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
额外的刺激 模型
npn (是=2.511f xti=3 eg=1.11 vaf=100 bf=242.6 ne=1.249 ise=2.511f ikf=.3458 xtb=1.5 br=3.197 nc=2
isc=0 ikr=0 rc=1 cjc=4.883p mjc=.3047 vjc=.75 fc=.5 cje=18.79p mje=.3416 vje=.75 tr=1.202n tf=560p
itf=50m vtf=5 xtf=8 rb=10)
npn 一般 目的 放大器
(持续)
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