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m29f002bt, m29f002bb, m29f002bnt, m29f002bnb
表格 14. 写 交流 特性, 碎片 使能 控制
(t
一个
=
0 至 70°c, –40 至 85°c 或者 –40 至 125°c)
标识 Alt 参数
M29F002B
单位
45 55 70 / 90 / 120
t
AVAV
t
WC
地址 有效的 至 next 地址 有效的 最小值 45 55 70 ns
t
WLEL
t
WS
写 使能 低 至 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
ELEH
t
CP
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 最小值 40 40 45 ns
t
DVEH
t
DS
输入 有效的 至 碎片 使能 高 最小值 25 25 30 ns
t
EHDX
t
DH
碎片 使能 高 至 输入 转变 最小值 0 0 0 ns
t
EHWH
t
WH
碎片 使能 高 至 写 使能 高 最小值 0 0 0 ns
t
EHEL
t
CPH
碎片 使能 高 至 碎片 使能 低 最小值 20 20 20 ns
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
ELAX
t
AH
碎片 使能 低 至 地址 转变 最小值 40 40 45 ns
t
GHEL
输出 使能 高 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
EHGL
t
OEH
碎片 使能 高 至 输出 使能 低 最小值 0 0 0 ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
高 至 写 使能 低
最小值 50 50 50
µs
图示 11. 写 交流 波形, 碎片 使能 控制
AI02084
E
G
W
a0-a17
dq0-dq7
有效的
有效的
V
CC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEHtGHEL