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资料编号:182822
 
资料名称:MX29LV800BTI-70R
 
文件大小: 1246.67K
   
说明
 
介绍:
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
 
 


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p/n:pm0709
mx29lv800t/b
rev. 1.3, jan. 24, 2002
29Lv800t/b-70(r) 29Lv800t/b-90
标识 PARAMETER 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 情况
tRC 读 循环 时间 (便条 1) 70 90 ns
tACC 地址 至 输出 延迟 70 90 ns CE=OE=VIL
tCE ce 至 输出 延迟 70 90 ns OE=VIL
tOE oe 至 输出 延迟 30 35 ns CE=VIL
tDF oe 高 至 输出 float (note1) 0 25 0 30 ns CE=VIL
tOEH 输出 使能 0 0 ns
支撑 时间 toggle 和 数据 polling 10 10 ns
tOH 地址 至 输出 支撑 0 0 ns CE=OE=VIL
便条:
1. 不 100% 测试.
2. tdf 是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 achieves
这 打开 电路 情况 和 数据 是 非 变长 驱动.
3. 29lv800t/b-70r 运作 在 vcc=3.0v~3.6v
测试 情况:
输入 脉冲波 水平: 0v/3.0v.
输入 上升 和 下降 时间 是 equal 至 或者 较少 比 5ns.
输出 加载: 1 ttl 门 + 100pf (包含 scope 和
jig), 为 29lv800t/b-90. 1 ttl 门 + 30pf (包含
scope 和 jig) 为 29lv800t/b-70 和 29lv800t/b-
70r.
涉及 水平 为 测量 定时: 1.5v.
交流 特性 ta = -40
o
c 至 85
o
c, vcc = 2.7v~3.6v
表格 9. 读 行动
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