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资料编号:182822
 
资料名称:MX29LV800BTI-70R
 
文件大小: 1246.67K
   
说明
 
介绍:
8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
 
 


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p/n:pm0709
mx29lv800t/b
rev. 1.3, jan. 24, 2002
29Lv800t/b-70 (r) 29Lv800t/b-90
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tWC 写 循环 时间 (便条 1) 70 70 ns
tAS 地址 建制 时间 0 0 ns
tAH 地址 支撑 时间 45 45 ns
tDS 数据 建制 时间 35 45 ns
tDH 数据 支撑 时间 0 0 ns
tOES 输出 使能 建制 时间 0 0 ns
tGHEL 读 恢复 时间 在之前 写 0 0 ns
tWS 我们 建制 时间 0 0 ns
tWH 我们 支撑 时间 0 0 ns
tCP ce 脉冲波 宽度 35 35 ns
tCPH CE脉冲波 宽度 高 30 30 ns
tWHWH1 程序编制 字节 9typ.) 9(典型值.) 美国
运作(note2) 文字 11(典型值.) 11(典型值.) 美国
tWHWH2 sector 擦掉 运作 (note2) 0.7(典型值.) 0.7(典型值.)
便条:
1. 不 100% 测试.
2. 看 这 "擦掉 和 程序编制 效能" 部分 为 更多 信息.
3. 29lv800t/b-70r 运作 在 vcc=3.0v~3.6v
交流 特性 ta = -40
o
c 至 85
o
c, vcc = 2.7v~3.6v
表格 11. alternate ce 控制 擦掉/程序 行动
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